[实用新型]一种低成本高光效芯片电极结构有效
申请号: | 201820103862.0 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN207690823U | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 王灏;杨辉 | 申请(专利权)人: | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪 |
地址: | 223001*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工作电压 电极结构 芯片电极 低成本 高光效 传统结构 铂层 铬层 铝层 钛层 升高 材料加工技术 本实用新型 抗老化性能 层结构 烘烤 光效 金层 | ||
本实用新型属于材料加工技术领域,提供了一种低成本高光效芯片电极结构,包括9层结构,从下到上依次为铬层b、铝层b、铬层a、铂层b、钛层b、铝层a、钛层a、铂层a和金层;低成本高光效芯片电极结构具有优秀的抗老化性能,一般电极结构的LED芯片250℃烘烤30min,工作电压VF1升高0.2伏左右,本产品在同样条件下工作电压VF1升高不超过0.1伏。具有较高的光效,本电极结构同样条件下工作电压VF较一般结构低0.1伏以上。具有较低的成本,本电极结构获得与传统结构同样的工作电压水平,相比传统结构金厚度可减少1微米以上。
技术领域
本实用新型属于材料加工技术领域,具体涉及一种低成本高光效芯片电极结构。
背景技术
传统LED芯片电极结构需要蒸镀5层金属,先后顺序为铬(Cr)/铝(Al)/铬(Cr)/铂(Pt)/金(Au),其若要提升光效则需要消耗更多的贵金属,成本增加很大,并且抗高温老化性能较差。
本实用新型针对现有技术中存在的问题,研发出一种低成本、高光效、可靠性高、稳定性强的芯片电极结构。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术中存在的成本高、稳定性差、可靠性低等技术问题,开发出一种低成本、高光效、可靠性高、稳定性强的芯片电极结构。
本实用新型的技术方案:
一种低成本高光效芯片电极结构,包括9层结构,从下到上依次为铬层b、铝层b、铬层a、铂层b、钛层b、铝层a、钛层a、铂层a和金层;其中,铬层b的厚度为5埃~50埃;铝层b的厚度为500埃~5000埃;铬层a的厚度为100埃~1000埃;铂层b的厚度为200埃~1500埃;钛层b的厚度为200埃~1500埃;铝层a的厚度为3000埃~30000埃;钛层a的厚度为200埃~1500埃;铂层a的厚度为200埃~1500埃;金层的厚度为5000埃~30000埃。
本实用新型的有益效果:
(1)具有优秀的抗老化性能,一般电极结构的LED芯片250℃烘烤30min,工作电压VF1升高0.2伏左右,本产品在同样条件下工作电压VF1升高不超过0.1伏。
(2)具有较高的光效,本电极结构同样条件下工作电压VF较一般结构低0.1伏以上。
(3)具有较低的成本,本电极结构获得与一般结构同样的工作电压水平,相比一般结构黄金厚度可减少1微米以上。
附图说明
图1是本实用新型的低成本高光效芯片电极结构示意图。
图中:1金层;2铂层a;3钛层a;4铝层a;5钛层b;6铂层b;7铬层a;8铝层b;9铬层b。
具体实施方式
以下结合附图和技术方案,进一步说明本实用新型的具体实施方式。
实施例1
一种低成本高光效芯片电极结构,包括9层结构,从下到上依次为铬层b、铝层b、铬层a、铂层b、钛层b、铝层a、钛层a、铂层a和金层;其中,铬层b的厚度为10埃;铝层b的厚度为1000埃;铬层a的厚度为500埃;铂层b的厚度为800埃;钛层b的厚度为300埃;铝层a的厚度为10000埃;钛层a的厚度为300埃;铂层a的厚度为800埃;金层的厚度为10000埃。
实施例2
一种低成本高光效芯片电极结构,包括9层结构,从下到上依次为铬层b、铝层b、铬层a、铂层b、钛层b、铝层a、钛层a、铂层a和金层;其中,铬层b的厚度为20埃;铝层b的厚度为2000埃;铬层a的厚度为1000埃;铂层b的厚度为1500埃;钛层b的厚度为1500埃;铝层a的厚度为20000埃;钛层a的厚度为1500埃;铂层a的厚度为1500埃;金层的厚度为30000埃。
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