[实用新型]GaN基LED器件有效
| 申请号： | 201820059394.1 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN207765474U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张韵;赵璐;艾玉杰;孙莉莉;杨帅;程哲;张连;贾利芳;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 非掺杂GaN层 成核层 发光层 衬底 制备 器件性能 外延材料 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。
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