[发明专利]一种氮化硼膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811654578.3 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109592654A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;张立云;苗爱民 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硼膜的制备方法。以六方氮化硼为原材料，一步制备二维羟基化氮化硼；用常见二羧酸与亚硫酰氯加热回流反应制得酰氯；将二维羟基化氮化硼分散在四氢呋喃溶剂中，加入氢氧化钠调节pH值，冰浴条件下逐滴加入酰氯，反应后用尼龙滤膜过滤成膜。本发明所述方法制备具有强的面面相互作用和更优有序结构的氮化硼膜，提高了薄膜的力学强度，并且可以通过选择不同种类的二羧酸控制层间距，二维结构具有优异的横向传热能力，将高功率电子器件的局部热点热量迅速在横向传开，降低局部最高温度，从而提升器件的寿命及可靠性，制备工艺简单，对设备的要求较低，适于工业或实验室操作。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硼膜 制备 氮化硼 二羧酸 羟基化 二维 高功率电子器件 四氢呋喃溶剂 反应制得酰 六方氮化硼 冰浴条件 传热能力 二维结构 局部热点 尼龙滤膜 氢氧化钠 提升器件 亚硫酰氯 一步制备 制备工艺 对设备 控制层 成膜 酰氯 薄膜 力学 过滤 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硼膜的制备方法，包括如下步骤：(1)以六方氮化硼为原材料，分散在碱性溶液中，放入超声波高温高压恒温反应釜中反应，一步制备二维羟基化氮化硼；(2)用常见二羧酸与亚硫酰氯加热回流反应制得酰氯；(3)将二维羟基化氮化硼分散在四氢呋喃溶剂中，加入氢氧化钠调节pH值，冰浴条件下逐滴加入酰氯，反应后用尼龙滤膜过滤成膜。
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