[发明专利]硅基外延片厚度均匀性的改善方法有效
| 申请号： | 201811654017.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109797375B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 涂逵 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/458;C30B25/12;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基外延片厚度均匀性的改善方法，其特征在于，适用于MOCVD高转速系统，改善方法包括：在硅衬底表面外延生长GaN层的过程中，调整石墨盘的转速至500～1200r/min，并根据石墨盘的转速通入匹配的气流，控制相应的温度和压力，其可改善晶圆片厚度的均匀性，有效解决了硅基外延片膜厚均匀性的技术问题，在实际应用中，该改善方法改善后的膜厚偏差可减少40％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 厚度 均匀 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基外延片厚度均匀性的改善方法，其特征在于，适用于MOCVD高转速系统，所述改善方法包括：在硅衬底表面外延生长GaN层的过程中，调整石墨盘的转速至500～1200r/min，并根据石墨盘的转速通入匹配的气流，控制相应的温度和压力。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
