[发明专利]离子植入系统和工艺有效
| 申请号： | 201811653911.9 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110047723B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 万志民;K·沙丹特曼德;N·怀特 | 申请（专利权）人： | 汉辰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/30;H01J37/317 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 郑洪成 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了离子植入系统和工艺。示范性的离子植入系统可以包括离子源、提取操纵器、磁分析仪以及电极组件。提取操纵器可以构造为通过从离子源提取离子而生成离子束。所生成的离子束的截面具有长维度以及与离子束的长维度正交的短维度。磁分析仪可构造为沿着平行于离子束的短维度的x方向聚焦离子束。电极组件可构造为加速或减速离子束。电极组件的一个或多个入口电极可限定第一开口，电极组件可相对于磁分析仪定位而使得随着离子束通过第一开口进入而使得离子束沿x方向收敛。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 系统 工艺 | ||
【主权项】：
1.用于将离子植入工件的离子束植入系统，所述系统包括：离子源；提取操纵器，其构造为通过从离子源提取离子来生成离子束，其中所述离子束的截面具有长维度以及与所述离子束的长维度正交的短维度；磁分析仪，其配置为沿平行于所述离子束的短维度的x方向聚焦所述离子束，其中所述离子源和所述提取操纵器相对于所述磁分析仪定位而使得生成的离子束以相对于所述磁分析仪的中心轴线为近似2‑8度的入射角进入所述磁分析仪；电极组件，其构造为加速或减速所述离子束；以及工件支撑结构，其构造为将所述工件定位在所述离子束中以将离子植入所述工件。
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