[发明专利]一种采用超快激光转移薄膜材料的加工方法在审
申请号: | 201811644560.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109860391A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 黄福志;吕雪辉;程一兵;钟杰;彭勇;库治良;李蔚;肖俊彦;谭光耀 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明;徐晓琴 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于激光加工领域,具体涉及一种采用超快激光转移薄膜材料的加工方法,包括:在清洁基板上沉积薄膜材料,得到施主基板;取另一清洁基板作为受主基板,将受主基板与施主基板上的薄膜材料相接触,然后一同放置在激光加工台上,调整激光焦距于合适的位置;通过超快激光、采用合适的激光加工参数在薄膜材料上相应的区域内进行连续扫描使薄膜材料在扫描区域内转移到受主基板上,完成薄膜材料的加工转移。本发明所述方法可以在设计的区域内精确地将相应薄膜材料转移到特定位置,且转移区域的大小可以精细到微米尺寸,实现了转移区域的精确控制,实现了薄膜材料快速且高质量的转移。 | ||
搜索关键词: | 薄膜材料 超快激光 受主基板 激光加工 清洁基板 施主基板 转移薄膜 转移区域 加工 沉积薄膜材料 激光加工参数 激光焦距 连续扫描 扫描区域 精细 | ||
【主权项】:
1.一种采用超快激光转移薄膜材料的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在清洁基板上沉积薄膜材料,得到施主基板;(2)取另一清洁基板作为受主基板,将受主基板与施主基板上的薄膜材料相接触,然后一同放置在激光加工台上,调整激光焦距于合适的位置;(3)通过超快激光、采用合适的激光加工参数在薄膜材料上相应的区域内进行连续扫描使薄膜材料在扫描区域内转移到受主基板上,完成薄膜材料的加工转移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811644560.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择