[发明专利]沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备在审
| 申请号： | 201811640961.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384174A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备。该场效应晶体管包括：第一电极金属层、半导体衬底层以及外延层，多个沟槽位于所述外延层远离所述半导体衬底层一侧的表面上，沟槽中设置有栅绝缘层以及栅极；阱区，所述阱区位于相邻的两个所述沟槽之间，所述阱区中具有源/漏极区；绝缘介质层；势垒金属层，所述势垒金属层设置在所述绝缘介质层远离所述半导体衬底的一侧，并在所述沟槽的两侧分别形成欧姆接触和肖特基接触；和第二电极金属层。由此该沟槽型MOSFET在反向承受偏压时，也可具有较好的耐压能力，器件具有较小的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 场效应 晶体管 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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