[发明专利]后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺在审
| 申请号： | 201811630118.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109722351A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吕佳韦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/08 | 分类号： | C11D7/08;C11D7/60;C11D11/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺，涉及半导体制造工艺，在对半导体器件进行刻蚀工艺后，应用包括稀释氢氟酸和硫酸的后段清洗工艺用化学混合溶液对半导体器件进行后段清洗工艺，以去除所述刻蚀工艺后的副产物，以达到有效去除刻蚀后残留缺陷并减少材料损失的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 后段清洗 化学混合 半导体器件 刻蚀工艺 去除 半导体制造工艺 应用 减少材料 副产物 氢氟酸 刻蚀 稀释 硫酸 残留 | ||
【主权项】：
1.一种后段清洗工艺用化学混合溶液，其特征在于，该化学混合溶液包括稀释氢氟酸和硫酸。
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