[发明专利]后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺

说明书

本发明涉及一种后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺，涉及半导体制造工艺，在对半导体器件进行刻蚀工艺后，应用包括稀释氢氟酸和硫酸的后段清洗工艺用化学混合溶液对半导体器件进行后段清洗工艺，以去除所述刻蚀工艺后的副产物，以达到有效去除刻蚀后残留缺陷并减少材料损失的效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺。

背景技术

在半导体制造工艺中，刻蚀工艺及去除刻蚀工艺产生的残留物的后段清洗工艺是其必备工艺。

随着半导体集成工艺的发展，半导体产品技术节点越来越小，进入28/20nm技术节点以后，由于工艺复杂性提高，在先前技术节点对产品良率没有影响的材料损失(如低介电材料与金属导线铜损耗)与残留缺陷可能进入28nm技术节点以后会对产品良率及可靠度有着重大的影响。以蚀刻工艺为例，需要去除刻蚀后聚合物残留缺陷，要有效清除缺陷又要减少材料损失，在进入28/20nm技术节点以后，传统清洗溶液已无法同时达到这二个要求。

因此，业界急需一种后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺，以达到有效去除刻蚀后残留缺陷并减少材料损失的效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种后段清洗工艺用化学混合溶液，以达到有效去除刻蚀后残留缺陷并减少材料损失的效果。

本发明提供的一种后段清洗工艺用化学混合溶液，包括稀释氢氟酸和硫酸。

更进一步的，所述化学混合溶液中的稀释氢氟酸的浓度为10ppm～50ppm。

更进一步的，所述化学混合溶液中的硫酸的浓度为1％～10％。

本发明还提供一种应用上述后段清洗工艺用化学混合溶液的后段清洗工艺，包括，在对半导体器件进行刻蚀工艺后，应用所述后段清洗工艺用化学混合溶液对半导体器件进行后段清洗工艺，以去除所述刻蚀工艺后的副产物。

更进一步的，在所述后段清洗工艺中，所述后段清洗工艺用化学混合溶液与水混合。

更进一步的，所述后段清洗工艺用化学混合溶液与水的配比为1:200～1:100。

更进一步的，在所述后段清洗工艺中，清洗时间控制在60s～240s。

更进一步的，在所述后段清洗工艺中，所述后段清洗工艺用化学混合溶液的流量控制在1000sccm/min～2000sccm/min。

更进一步的，在所述后段清洗工艺中，所述后段清洗工艺用化学混合溶液的温度控制在20℃～30℃。

更进一步的，在所述后段清洗工艺中，所述后段清洗工艺用化学混合溶液的温度控制在25℃。

本发明提供的后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺，应用包括稀释氢氟酸(HF)和硫酸(H₂SO₄)的化学混合溶液进行后段清洗工艺，可以有效去除刻蚀后残留缺陷，且有效的避免低介电常数介电层的损耗及铜损耗，提高半导体器件的可靠度及良率。

附图说明

图1为半导体器件刻蚀后示意图。

图2为现有技术中对图1的半导体器件进行后段清洗后的示意图。

图3为采用稀释氢氟酸与硫酸的化学混合溶液对图1的半导体器件进行后段清洗后的示意图。

具体实施方式