[发明专利]相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器有效
| 申请号： | 201811626077.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109728162B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;郑龙;宋三年 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜包括：至少一层Ge‑Sb‑Te层；至少一层C层；至少一层界面层，界面层位于相邻的Ge‑Sb‑Te层与C层之间并与二者相接触，界面层的成分包括C掺杂的Ge‑Sb‑Te。本发明的界面层，通过诱导部分C原子扩散进入Ge‑Sb‑Te层纳米层并取代Ge‑Sb‑Te层中的部分的Ge、Sb、Te元素，从而在界面形成有序、稳定的C掺杂Ge‑Sb‑Te结构。此外，体系仍然具有超晶格体系特点，从而可以基于其有效的调控得到的相变薄膜材料的相变性能，相变薄膜体系可调控出两态或三态等的存储特性，本发明所提供的超晶格结构相变薄膜可应用于相变存储器中，具有结晶温度可调、晶态电阻以及多态存储等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 薄膜 存储 单元 及其 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种相变薄膜，其特征在于，所述相变薄膜包括：至少一层Ge‑Sb‑Te层；至少一层C层；以及至少一层界面层，所述界面层位于相邻的所述Ge‑Sb‑Te层与所述C层之间并与二者相接触，且所述界面层的成分包括C掺杂的Ge‑Sb‑Te。
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