[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811619204.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109698277A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 卢珂鑫;张燕红;李伟伟;谷文翠;刘兆平 | 申请（专利权）人： | 宁波石墨烯创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子和光电子技术领域。有机薄膜晶体管，包括基板、含有源极和漏极的源漏极层、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极层。基板的一表面为源漏极层，源漏极层的背离基板的表面为有机半导体层，有机半导体层的背离源漏极层的表面为栅极绝缘层，栅极绝缘层的背离有机半导体层的表面为栅极层。其中，源漏极层由导电墨水制成。有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板的一表面涂布导电墨水，固化导电墨水形成第一电极层，对第一电极层进行曝光、显影和热处理得到源漏极层。此制备方法制备得到的有机薄膜晶体管不需要设置平坦层，且不需要设置光阻层，可以直接进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极 有机薄膜晶体管 有机半导体层 制备 基板 栅极绝缘层 导电墨水 第一电极 背离 栅极层 光电子技术领域 热处理 表面涂布 有机电子 光阻层 平坦层 图案化 漏极 显影 源极 固化 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、含有源极和漏极的源漏极层、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极层；所述基板的一表面为所述源漏极层，所述源漏极层的背离所述基板的表面为有机半导体层，所述有机半导体层的背离所述源漏极层的表面为栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的背离所述有机半导体层的表面为所述栅极层；其中，所述源漏极层由导电墨水制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波石墨烯创新中心有限公司，未经宁波石墨烯创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811619204.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
