[发明专利]一种太阳能电池用缓冲层的制备方法在审
申请号: | 201811615051.X | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN111384199A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 刘红霞;王雪戈;张德忠 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池制作领域,具体涉及一种太阳能电池用缓冲层的制备方法,包括以下步骤:将基底浸渍于前驱体溶液中进行溶剂热反应,得到镀覆于基底上的金属―有机骨架层,所述前驱体溶液为金属盐与有机配体的混合溶液,所述混合溶液中金属盐与有机配体的摩尔比为(1~3):(1~10);将镀覆有金属―有机骨架层的基底浸渍于硫化剂溶液中进行硫化处理,制得镀覆于基底上的缓冲层。本发明解决了现有技术中缓冲层的厚度不可控且缓冲层与基底的结合力较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的