[发明专利]一种改善等离子体刻蚀均匀性的装置及方法在审
| 申请号： | 201811612742.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111383887A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 程实然;邱勇;刘小波;王铖熠;刘海洋;李娜;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟;阿苏娜 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善等离子体刻蚀均匀性的装置及方法。该装置包括直流电源和滤波器，所述直流电源一端接地，另一端通过所述滤波器与等离子体刻蚀系统的下电极的聚焦环相连接，在其上加载直流电压，所述直流电源的大小和极性可调，所述滤波器用于过滤直流中的交流成分。通过在等离子体刻蚀系统的下电极的聚焦环上加载直流电压，调整直流电压的极性和大小，使晶圆边缘部位的刻蚀速率与晶圆中心部位的刻蚀速率趋于一致。本发明简单易行，能够有效改善刻蚀均匀性，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 等离子体 刻蚀 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】：
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