[发明专利]单、双轴磁场传感器与其制备方法以及设备在审
| 申请号： | 201811612027.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109633496A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郭宗夏;曹志强;闫韶华;安琪;冷群文;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/06;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人： | 刘戈 |
| 地址： | 266104 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种单、双轴磁场传感器与其制备方法以及设备。其中，单轴传感器包括：位于衬底上的第一惠斯通电桥包括两第一和两第二磁阻模块组；两第一磁阻模块组分别位于第一惠斯通电桥的第一相对桥臂上，第一磁阻模块组中第一磁阻模块的参考层磁化方向均与单轴磁场传感器的第一传感轴的第一方向相同；两第二磁阻模块组分别位于第一惠斯通电桥的第二相对桥臂上，第二磁阻模块组包括串联的两个第二磁阻模块；两第二磁阻模块的参考层磁化方向所成第一夹角的角平分线与第一传感轴平行；第一夹角大于0°小于180°；第一磁阻模块和第二磁阻模块各自的参考层磁化方向与各自的易磁化轴垂直。本申请提供的技术方案可降低单轴磁场传感器制备工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻模块 磁场传感器 惠斯通电桥 磁化方向 参考层 传感轴 单 双 单轴 桥臂 制备 易磁化轴垂直 单轴传感器 角平分线 制备工艺 复杂度 衬底 申请 串联 平行 | ||
【主权项】：
1.一种单轴磁场传感器，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的第一惠斯通电桥，所述第一惠斯通电桥包括两第一磁阻模块组和两第二磁阻模块组；其中，所述两第一磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第一相对桥臂上，所述第一磁阻模块组中第一磁阻模块的参考层磁化方向均与所述单轴磁场传感器的第一传感轴的第一方向相同；所述两第二磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第二相对桥臂上，所述第二磁阻模块组包括串联的两个第二磁阻模块；所述两个第二磁阻模块的参考层磁化方向所成第一夹角的角平分线与所述第一传感轴平行；其中，所述第一夹角大于0°小于180°；所述第一磁阻模块和所述第二磁阻模块各自的参考层磁化方向与各自的易磁化轴垂直。
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