[发明专利]一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统及其工作方法在审

专利信息
申请号: 201811611380.7 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109536916A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 孔令杰;李晓丽 申请(专利权)人: 合肥百思新材料研究院有限公司
主分类号: C23C16/02 分类号: C23C16/02;C23C16/455;C21D1/62;C21D1/773;C21D1/34;C21D9/00
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 238000 安徽省合肥市巢*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统及其工作方法,该系统包括安装壳体、升降调节机构、加热机构、淬火淀积机构,加热机构、淬火淀积机构设于安装壳体的内壁处,升降调节机构包括升降托台、升降调节器、自动升降台、升降杆;加热机构包括加热器、防对流塞、石英腔体;淬火淀积机构包括进气腔体、进气阀门、进气口,进气腔体的顶部通过法兰与加热器密封连接。该系统在不破坏腔体环境的情况下可以将器件移动至另外一个温度区域实现不同薄膜的生长,把淬火装置和CVD复合膜制备有效的结合在一起。该系统结构简单,操作方便,在不需要降温相变的情况即可实现CVD薄膜生长,降低工艺时间的同时提高了器件质量。
搜索关键词: 淬火 加热机构 淀积 升降调节机构 加热器 安装壳体 进气腔体 真空气氛 自由升降 进气口 复合膜制备 升降调节器 有效的结合 自动升降台 薄膜生长 淬火装置 进气阀门 密封连接 器件移动 腔体环境 升降托台 石英腔体 温度区域 系统结构 防对流 升降杆 法兰 内壁 薄膜 生长
【主权项】:
1.一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统,包括安装壳体(14)、升降调节机构、加热机构、淬火淀积机构,加热机构、淬火淀积机构设于安装壳体(14)的内壁处,其特征在于,所述升降调节机构包括升降托台(9)、升降调节器(10)、自动升降台(11)、升降杆(16),自动升降台(11)呈长方体状,升降调节器(10)与升降杆(16)同轴设置,升降杆(16)的一端与升降托台(9)固定连接,另一端与自动升降台(11)固定连接;所述加热机构包括加热器(6)、防对流塞(5)、石英腔体(4),加热器(6)具有一圆柱形中空腔体,石英腔体(4)与加热器(6)圆柱形中空腔体的顶部密封连接,防对流塞(5)设于圆柱中空腔体内且其顶部与石英腔体(4)的底部连接;所述淬火淀积机构包括进气腔体(18)、进气阀门(1)、进气口(7),进气腔体(18)的顶部通过法兰与加热器(6)密封连接,进气阀门(1)与进气口(7)分别设于进气腔体(18)的外壁且与进气腔体(18)内的空腔连通;所述安装壳体(14)包括一竖直设置的外壳主体(141)和一支撑底座(142),外壳主体(141)的内壁设有升降滑轨(17),所述自动升降台(11)宽度方向一侧的壁部与升降滑轨(17)滑动连接,支撑底座(142)设于外壳主体(141)的底部,支撑底座(142)的底部设有支撑脚(15);所述外壳主体(141)的侧壁设有主控制器(12)与气体控制器(13)。
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