[发明专利]超导量子干涉器件及制备方法在审
| 申请号： | 201811611264.5 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109597004A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王会武;唐鑫;张栖瑜;公凯轩;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R33/035 | 分类号： | G01R33/035;G01R33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超导量子干涉器件及制备方法，包括：欠阻尼SQUID及串联电阻，欠阻尼SQUID与串联电阻串联，欠阻尼SQUID及串联电阻串联后的两端连接偏置电压。依次沉积第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层，并刻蚀形成超导环路及底电极结构；刻蚀第二超导材料层以形成约瑟夫森结；沉积并刻蚀第二绝缘材料层，于约瑟夫森结顶部形成电极开口；沉积并刻蚀电阻材料层形成旁路电阻及串联电阻；沉积并刻蚀第三超导材料层顶电极。本发明将欠阻尼SQUID与电阻串联在一起构成Series Resistance SQUID器件，在电压偏置模式下工作，具有噪声更低、灵敏度更高的特点；而且其制备工艺与普通SQUID制备工艺相同，不增加制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 超导材料层 串联电阻 刻蚀 沉积 制备 超导量子干涉器件 绝缘材料层 约瑟夫森结 制备工艺 串联 底电极结构 超导环路 电极开口 电压偏置 电阻串联 刻蚀电阻 旁路电阻 偏置电压 材料层 顶电极 灵敏度 噪声 | ||
【主权项】：
1.一种超导量子干涉器件，其特征在于，所述超导量子干涉器件至少包括：欠阻尼SQUID及串联电阻，所述欠阻尼SQUID和所述串联电阻串联连接，所述欠阻尼SQUID及所述串联电阻串联后的两端连接偏置电压。
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