[发明专利]用于集成电路上的薄膜电阻器的等离子体处理在审
| 申请号： | 201811609858.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110010763A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 柳凯平;I·M·卡恩 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/11553 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于集成电路上的薄膜电阻器的等离子体处理。一种制作包含薄膜电阻器TFR的IC(200)的方法在包含半导体表面的衬底(210)上沉积电介质衬里层，所述半导体表面具有形成于其中的多个IC裸片，每一IC裸片包含包括多个互连晶体管的功能电路(212b)。在所述电介质衬里层上沉积包括铬(Cr)的TFR层。用原子氮及原子氢对所述TFR层进行等离子体处理。在所述等离子体处理之后，在所述TFR层上沉积电介质帽盖层。在所述帽盖层上形成图案，且蚀刻所述TFR层以形成包括所述TFR层的至少一个电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理 薄膜电阻器 沉积 电介质 半导体表面 衬里层 集成电路 蚀刻 电介质帽 功能电路 电阻器 帽盖层 申请案 原子氮 原子氢 晶体管 互连 衬底 盖层 图案 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作集成电路IC的方法，其包括：在包含半导体表面层的衬底上沉积至少一个电介质衬里层；在所述电介质衬里层上沉积薄膜电阻器TFR层；用原子氮及原子氢对所述TFR层进行等离子体处理；在所述等离子体处理之后，在所述TFR层上沉积电介质帽盖层；在所述电介质帽盖层上形成图案，及蚀刻所述TFR层以形成包括所述TFR层的至少一个电阻器。
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