[发明专利]用于集成电路上的薄膜电阻器的等离子体处理

权利要求书

1.一种制作集成电路IC的方法，其包括：

在包含半导体表面层的衬底上沉积至少一个电介质衬里层；

在所述电介质衬里层上沉积薄膜电阻器TFR层；

用原子氮及原子氢对所述TFR层进行等离子体处理；

在所述等离子体处理之后，在所述TFR层上沉积电介质帽盖层；

在所述电介质帽盖层上形成图案，及

蚀刻所述TFR层以形成包括所述TFR层的至少一个电阻器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使用从1托到5托的压力范围且在600瓦特到1,000瓦特的总RF功率下，使用100kHz与1MHz之间的第一RF频率及4MHz与20MHz之间的至少第二RF频率执行所述等离子体处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR层包括铬(Cr)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述TFR层包括硅铬(SiCr)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述SiCr进一步包括碳。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR层的厚度是1nm到50nm。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述TFR层的所述厚度是2nm到10nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述电介质帽盖层包括利用原硅酸四乙酯(TEOS)作为前体材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理包括在与所述沉积所述电介质帽盖层相同的系统中对所述TFR层进行原位等离子体处理。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述IC包含所述功能电路上方的至少一个铁电随机存取存储器FRAM单元。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述原子氮及所述原子氢是通过使NH₃及N₂流动而产生。

12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括通过以下各项中的至少一者来执行所述等离子体处理：使O₂流动以产生原子O；使氩(Ar)流动以产生Ar+；及使氦(He)流动以产生He⁺。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述电介质帽盖层上形成所述图案包括光致抗蚀剂图案，所述方法进一步包括在所述蚀刻所述TFR层之后，在氧气中将所述光致抗蚀剂图案灰化。

14.一种制作集成电路IC的方法，其包括：

在包含半导体表面层的衬底上沉积至少一个电介质衬里层；

在所述电介质衬里层上沉积包括铬(Cr)的薄膜电阻器TFR层；

使用从1托到5托的压力范围且在600瓦特到1,000瓦特的总RF功率下，使用100kHz与1MHz之间的第一RF频率及4MHz与20MHz之间的至少第二RF频率，用原子氮及原子氢对所述TFR层进行等离子体处理；

在所述等离子体处理之后，在所述TFR层上沉积包括氧化硅的电介质帽盖层；

在所述电介质帽盖层上形成图案，及

蚀刻所述TFR层以形成包括所述TFR层的至少一个电阻器。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述沉积所述电介质帽盖层包括利用原硅酸四乙酯(TEOS)作为前体材料。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述等离子体处理包括在与所述沉积所述电介质帽盖层相同的系统中对所述TFR层进行原位等离子体处理。