[发明专利]用于太阳能电池的多晶硅特征的导电触点在审
| 申请号： | 201811609856.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109994554A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 林承笵 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 孙微;金小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了制造用于太阳能电池的多晶硅特征的导电触点的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，一种制造太阳能电池的方法包括设置具有多晶硅特征的基板。所述方法还包括直接在所述多晶硅特征上形成导电膏。所述方法还包括在高于约700摄氏度的温度下烧制所述导电膏以形成用于所述多晶硅特征的导电触点。所述方法还包括在烧制所述导电膏之后，在所述多晶硅特征和所述导电触点上形成抗反射涂层(ARC)。所述方法还包括在穿过所述ARC层的开口中形成导电结构并电接触所述导电触点。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 导电触点 太阳能电池 导电膏 烧制 抗反射涂层 导电结构 电接触 基板 制造 开口 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：设置具有多晶硅特征的基板；直接在所述多晶硅特征上形成导电膏；在高于约700摄氏度的温度下烧制所述导电膏以形成用于所述多晶硅特征的导电触点；在烧制所述导电膏之后，在所述多晶硅特征和所述导电触点上形成抗反射涂层(ARC)；以及在穿过所述ARC层的开口中形成导电结构并电接触所述导电触点。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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