[发明专利]一种多晶硅制备调控方法及装置有效
| 申请号： | 201811608503.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109455722B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王生红;鲍守珍;赵明举;史正斌;郭梅珍 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 810007 青海省*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅制备调控方法及装置，涉及化工业原料制备技术领域。该方法包括：将原料硅粉以及氯化氢合成炉合成的氯化氢送入三氯氢硅合成炉进行三氯氢硅合成；获取所述三氯氢硅合成炉的副产物中的STC含量、DCS含量以及HCL含量；基于所述STC含量、所述DCS含量以及所述HCL含量对所述三氯氢硅合成炉的控制参数进行调控。该方法在多晶硅制备过程中基于反应设备中的STC含量、DCS含量以及HCL含量进行实时调控，提高了多晶硅的制备效率、降低了原料损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制备 调控 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅制备调控方法，其特征在于，所述多晶硅制备调控方法包括：将原料硅粉以及氯化氢合成炉合成的氯化氢送入三氯氢硅合成炉进行三氯氢硅合成；获取所述三氯氢硅合成炉的副产物中的STC含量、DCS含量以及HCL含量；基于所述STC含量、所述DCS含量以及所述HCL含量对所述三氯氢硅合成炉的控制参数进行调控。
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