[发明专利]光学临近效应修正方法

摘要

本发明公开了一种用于校正多晶硅层偏移图形的光学临近效应修正方法，包括：根据多晶硅层图形之间距离将其划分为高密度图形区域和低密度图形区域；通过版图逻辑运算选取低密度图形区域中发生位移的图形；选取需要移动处理的图形执行移动校正。本发明通过版图逻辑运算可实现自动识别并选取多晶硅层偏移图形，同时对其进行移动操作；本发明有利于增大多晶硅层高低密度区域图形的距离，改善高低密度区域图形之间的工艺窗口，处理后的光刻版图仍然满足设计规则，不会影响器件性能，能够有效防止多晶硅层图形间距变小造成的产品缺陷，有效避免低密度区域图形偏移所导致的风险，提高产品良率。

主权项

1.一种光学临近效应修正方法，用于校正半导体器件多晶硅层偏移图形，其特征在于，包括以下步骤：1)根据多晶硅层图形之间距离将其划分为高密度图形区域和低密度图形区域；2)通过版图逻辑运算选取低密度图形区域中发生位移的图形；3)对步骤2)选取需要移动处理的图形执行移动校正。