[发明专利]光学临近效应修正方法

说明书

本发明公开了一种用于校正多晶硅层偏移图形的光学临近效应修正方法，包括：根据多晶硅层图形之间距离将其划分为高密度图形区域和低密度图形区域；通过版图逻辑运算选取低密度图形区域中发生位移的图形；选取需要移动处理的图形执行移动校正。本发明通过版图逻辑运算可实现自动识别并选取多晶硅层偏移图形，同时对其进行移动操作；本发明有利于增大多晶硅层高低密度区域图形的距离，改善高低密度区域图形之间的工艺窗口，处理后的光刻版图仍然满足设计规则，不会影响器件性能，能够有效防止多晶硅层图形间距变小造成的产品缺陷，有效避免低密度区域图形偏移所导致的风险，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种针对多晶硅层图形发生偏移的光学临近效应修正方法。

背景技术

随着集成电路特征尺寸的持续缩小，半导体器件的设计尺寸越来越精密，在芯片制造过程中由于栅极线宽控制引入的微小误差会给半导体器件的性能带来不可忽略的影响。光学临近效应(Optical Proximity Effect)导致硅片上的光刻图形与掩模版上图形的偏差问题越来越严重。光学临近效应修正(Optical Proximity Correction)主要作用是减小光学临近效应所造成的误差和影响，使得转移到硅片上的图形与预期图形基本符合。因此光学临近效应修正在半导体制造中愈发显得重要。

在半导体制造工艺中对线宽控制影响最大的工艺包括光刻和刻蚀，光刻后线宽(ADI CD,After Development Inspection Critical Dimension)除了光刻机本身的性能参数和工艺条件的影响外，还可以借助光学临近效应修正，例如加入次分辨率辅助图形(SRAF,Sub Resolution Assist Feature)来提高线宽均匀性(CDU,Critical DimensionUniformity)，增大光刻工艺窗口(PW,Process Window)。而刻蚀后线宽(AEICD,AfterEtching Inspection Critical Dimension)不仅受到光刻后线宽和光阻轮廓的影响，还受到高、低密度图形区域之间负载效应(Loading Effect)的影响。低密度图形区域的光阻较少，可与更多的刻蚀剂反应，产生较高的刻蚀速率以及较多的刻蚀副产物，从而影响刻蚀工艺后硅片表面的均匀度，造成高低密度图形区域产生较明显的偏移。对于一个器件来说，处在多个多晶硅图形的边缘和中间部位的图形密度是不同的，前者相对“孤立”，相当于处在低密度区域，后者相对“密集”，相当于处在高密度图形区域，因此它们的图形间距可能出现分化，低密度图形区域会发生位移，导致多晶硅层图形间距变小，容易造成多晶硅层图形的残余，造成产品缺陷，影响产品良率。

目前业界普遍采用在半导体器件两侧加入不形成器件的多晶硅器件辅助图形(PO-DAF,Polysilicon Device Assist Feature)的方法来克服上述问题。PO-DAF的加入使低密度图形区域密度与高密度图形区域密度保持一致，可以起到降低刻蚀工艺负载效应的影响，从而有利于最终产品器件性能与设计初衷相一致。但是，当低密度图形区域附近存在有源区等其他图形时，PO-DAF的加入会改变设计的电路或者对器件性能产生不良影响，因此有些结构不适合加入PO-DAF。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能改善图形偏移造成多晶硅层图形间距变小的光学临近效应修正方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的光学临近效应修正方法，用于校正半导体器件多晶硅层偏移图形，包括以下步骤：

1)根据多晶硅层图形之间距离将其划分为高密度图形区域和低密度图形区域；

2)通过版图逻辑运算选取低密度图形区域中发生位移的图形；

3)对步骤2)选取需要移动处理的图形执行移动校正。

进一步改进所述的光学临近效应修正方法，所述低密度图形区域选取通过以下方式；