[发明专利]一种N型双面电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型双面电池的制备方法，包括：步骤1，对制绒后的N型单晶硅片进行正面硼扩散，形成正面BSG层；步骤2，对N型单晶硅片进行背面低浓度磷扩散；步骤3，在N型单晶硅片背面沉积掩膜层；步骤4，在N型单晶硅片的背面预设电极处进行激光开槽，形成开槽区；步骤5，对N型单晶硅片背面进行高浓度磷扩散。步骤6，去除N型单晶硅片背面的掩膜层和高浓度磷扩散、低浓度磷扩散形成的磷硅玻璃以及BSG层。通过在背面掩膜层上进行开孔并进行二次扩散，形成选择性背电场，由于低浓度磷扩散能够减少发射区的复合并减少死层的存在，且扩散过程容易控制，使得扩散区的方块电阻均匀，提高了载流子的收集效率，提高了电池性能。

主权项

1.一种N型双面电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，对制绒后的N型单晶硅片进行正面硼扩散，形成正面BSG层；步骤2，对所述N型单晶硅片背面进行低浓度磷扩散；步骤3，在所述N型单晶硅片背面沉积掩膜层；步骤4，在所述N型单晶硅片的背面预设电极处进行激光开槽，形成开槽区；步骤5，对所述N型单晶硅片背面进行高浓度磷扩散。步骤6，去除所述N型单晶硅片背面的掩膜层和所述高浓度磷扩散、所述低浓度磷扩散形成的磷硅玻璃以及所述BSG层。