[发明专利]磁性存储器阵列有效
| 申请号： | 201811602827.4 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370438B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 何世坤;竹敏;承祎琳 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储器阵列，包括：按矩形阵列形式排布的多个磁存储单元，每个所述磁存储单元包括磁性隧道结和磁性电极，其中，所述磁性电极为具有长轴和短轴的几何结构，所述磁性电极在膜平面内磁化，磁化方向沿长轴方向，所述磁性电极用于提供一个辅助所述磁性隧道结自由层翻转的磁矩，所述磁性电极的几何尺寸大于所述磁性隧道结的几何尺寸，所述磁性存储器阵列中水平和垂直方向相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向不共线。本发明能够提高磁性存储器阵列的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
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