[发明专利]磁性存储器阵列

权利要求书

1.一种磁性存储器阵列，其特征在于，包括：按矩形阵列形式排布的多个磁存储单元，每个所述磁存储单元包括磁性隧道结和磁性电极，其中，所述磁性电极为具有长轴和短轴的几何结构，所述磁性电极在膜平面内磁化，磁化方向沿长轴方向，所述磁性电极用于提供一个辅助所述磁性隧道结自由层翻转的磁矩，所述磁性电极的几何尺寸大于所述磁性隧道结的几何尺寸，所述磁性存储器阵列中的最小重复单元包括水平方向相邻的两个磁存储单元及其各自垂直方向相邻的两个磁存储单元，在每个最小重复单元中，水平和垂直方向相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向互相垂直，且对角相对的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向平行。

2.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，所述磁性存储器阵列中最小重复单元的相邻的两个磁存储单元的其中一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿阵列的第一方向，另一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿阵列的第二方向，其中所述阵列的第一方向和阵列的第二方向垂直。

3.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，所述磁性存储器阵列中最小重复单元的相邻的两个磁存储单元的其中一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿逆时针方向和阵列的第一方向呈45度倾角，另一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿顺时针方向和阵列的第一方向呈45度倾角，以实现互相垂直。

4.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，每个所述磁存储单元的磁性隧道结为圆形结构。

5.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，每个所述磁存储单元的磁性电极为椭圆形，长轴和短轴的比例介于1.2～3之间。

6.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，每个所述磁存储单元的磁性电极为矩形，长边和短边的比例介于1.2～3之间。

7.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，每个所述磁存储单元的磁性电极至少包含一层铁磁材料薄膜。

8.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，每个所述磁存储单元的磁性电极靠近磁性隧道结的自由层，并通过隔离层与磁性隧道结隔开。

9.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，每个所述磁存储单元还包括非磁性电极，所述非磁性电极靠近磁性隧道结的固定层。