[发明专利]磁存储单元及SOT-MRAM存储器有效
| 申请号： | 201811602786.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370571B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨成成;何世坤 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁存储单元，包括：底电极，用于提供自旋轨道矩；磁性隧道结，包括依次堆叠的自由层、隧穿势垒层和参考层，所述自由层靠近所述底电极；分离层，位于所述磁性隧道结的参考层上并与所述参考层接触；偏置层，位于所述分离层上并与所述分离层接触，用于提供一个磁矩，所述磁矩的初始方向与所述磁性隧道结的磁化方向平行；压电层，位于所述偏置层上并与所述偏置层接触，用于在控制电压的作用下，产生一个使所述偏置层的磁矩改变方向的应力，所述偏置层的磁矩在改变方向后，用于辅助所述自由层翻转；顶电极，位于所述压电层上并与所述压电层接触，用于在写入数据时接入所述控制电压。本发明能够提高磁存储单元的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 sot mram 存储器 | ||
【主权项】：
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