[发明专利]一种真空沟道型光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201811601805.6 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370276A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郝广辉;邵文生;张珂 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种真空沟道型光电阴极及其制备方法。所述真空沟道型观点阴极包括衬底和形成在衬底上的阴极发射层，阴极发射层包括周期性交替排列的第一半导体材料层和第二半导体材料层，以及形成在阴极发射层中的沟道，其中所述沟道靠近衬底一侧的面积小于阴极发射层表面的面积。本发明提供的光电阴极可产生较大的发射电流密度，同时有效地缩短阴极的响应时间，使其具有发射太赫兹频率电子脉冲的能力，可应用于光调制真空微波器件、自由电子激光器和光源等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 沟道 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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