[发明专利]高导电率一氧化硅的生产设备及方法有效
| 申请号： | 201811601025.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109455723B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈青华;肖旦;房冰 | 申请（专利权）人： | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/18 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 321100 浙江省金华市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高导电率一氧化硅的生产设备及方法，涉及纳米材料制备技术领域，所述设备包括反应装置、与所述反应装置管路连通的真空泵、与所述反应装置管路连通的掺杂物生成装置和与所述掺杂物生成装置管路连通的掺杂源供给部，所述反应装置内部设有迂回的流体通道，所述反应装置上设有蒸汽入口；掺杂是一种气态掺杂过程，所得到的掺杂后的一氧化硅颗粒大小均匀，掺杂效果均匀，大大提高了电子导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 氧化 生产 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，包括反应装置、与所述反应装置管路连通的真空泵、与所述反应装置管路连通的掺杂物生成装置和与所述掺杂物生成装置管路连通的掺杂源供给部，所述反应装置内部设有迂回的流体通道，所述反应装置上设有蒸汽入口。
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