[发明专利]一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法有效
| 申请号： | 201811598009.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109599408B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 韩恒利;龚婧 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光电探测领域的图像传感器，提出了一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法；所述像素结构包括P型衬底，所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及像元区域；所述像元区域位于P型衬底的顶部的左侧或由右侧，所述像元区域上形成有深N阱电子通道，并连通至倍增区；本发明通过在像素部分对探测到的光子所形成的光生载流子进行倍增，从而提高器件探测微弱光的灵敏度，进而提升了CMOS图像传感器在微光下的探测成像能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 像素 结构 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器像素结构，所述像素结构包括P型衬底，其特征在于，所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及至少一个像元区域；所述像元区域位于P型衬底的顶部，所述像元区域上形成有深N阱电子通道，并连通至倍增区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811598009.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像装置
- 下一篇：用于组装发光元件矩阵的多点接合工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
