[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法在审
| 申请号： | 201811591021.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111435686A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 许吉林;乔秀梅;梁鹏;刘琦;王权;辛智渊;李静文;付红颖 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0216;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;刘悦晗 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法，所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池包括衬底层和依次形成在所述衬底层上的第一电极层、GIGS吸光层和窗口层，所述GIGS吸光层的材料中掺杂有Si；通过在GIGS吸光层的材料中掺杂适量的Si，利用Si起钝化作用，可以有效改善晶粒界面，保证铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换率，这样就无需在GIGS吸光层和窗口层之间额外设置缓冲层，从而简化制备工艺、降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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