[发明专利]提高砷化镓衬底减薄后表面洁净度的磨料及加工方法在审

专利信息
申请号: 201811587353.0 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN111363519A 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 胡夕伦;吴向龙;闫宝华 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;B24B1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种提高砷化镓衬底减薄后表面洁净度的磨料及加工方法,通过将二乙醇酰胺硬脂酸甘油单酯、二月桂基二甲基氯化铵、烷氧基聚氧乙烯基硫酸酯、1‑羧甲基钠‑1‑β‑羟乙基‑2‑烷基‑咪唑啉氢氧化钠按1.5‑2:2‑3:2‑3:1的比例混合形成调节剂,可以使磨料具备低表面活性和高分散性的适用于砷化镓衬底的磨料,阻碍研磨过程中颗粒表面由于断键、静电而与衬底砷化镓活性研磨面形成结合而难以去除。可有效阻止颗粒吸附或残留在减薄后的衬底表面,是表面保持洁净,有利于后续的镀膜质量,提高芯片的质量和良率。
搜索关键词: 提高 砷化镓 衬底 减薄后 表面 洁净 磨料 加工 方法
【主权项】:
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