[发明专利]提升3D NAND Flash性能的方法在审
| 申请号： | 201811579530.0 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109669638A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李皓智;谢汇;肖孟;管冬生;汤仁君 | 申请（专利权）人： | 合肥兆芯电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F11/10;G06F11/14 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升3D NAND Flash性能的方法，包括以下步骤：(1)先将资料写入SLC缓存，再将SLC缓存中的数据备份到TLC/MLC中；(2)将TLC/MLC缓存写满后，将块中的资料做读回验证；(3)如果数据发生错误，则将此块做坏块标记不再使用，并且重新获取新的块做备份和读回验证；(4)备份和读回验证的行为若进行到某个P/E循环阈值，确定不会再发生Wordline开路、Wordline短路、内存漏洞问题，将可以转换成正确的TLC的做法。本发明方法增加了3D NAND Flash的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 缓存 验证 备份 坏块标记 数据备份 数据发生 重新获取 可靠度 短路 开路 内存 写入 漏洞 转换 | ||
【主权项】：
1.提升3D NAND Flash性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)先将资料写入SLC缓存，再将SLC缓存中的数据备份到TLC/MLC中；(2)将TLC/MLC缓存写满后，将块中的资料做读回验证；(3)如果数据发生错误，则将此块做坏块标记不再使用，并且重新获取新的块做备份和读回验证；(4)备份和读回验证的行为若进行到某个P/E循环阈值，确定不会再发生Wordline开路、Wordline短路、内存漏洞问题，将可以转换成正确的TLC的做法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥兆芯电子有限公司，未经合肥兆芯电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811579530.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于提供容器服务的系统、方法和装置
- 下一篇：坏块管理方法
