[发明专利]提升3D NAND Flash性能的方法

说明书

本发明公开了一种提升3D NAND Flash性能的方法，包括以下步骤：(1)先将资料写入SLC缓存，再将SLC缓存中的数据备份到TLC/MLC中；(2)将TLC/MLC缓存写满后，将块中的资料做读回验证；(3)如果数据发生错误，则将此块做坏块标记不再使用，并且重新获取新的块做备份和读回验证；(4)备份和读回验证的行为若进行到某个P/E循环阈值，确定不会再发生Wordline开路、Wordline短路、内存漏洞问题，将可以转换成正确的TLC的做法。本发明方法增加了3D NAND Flash的可靠度。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种提升3D NAND Flash性能的方法。

背景技术

现在NAND Flash主流发展方向是3D NAND Flash，原本的2D NAND Flash将逐渐的退出历史舞台。但是3D NAND也会出现一些2D NAND中没有的缺陷。本发明主要针对TOSHIBA3D NAND Flash的Wordline开路、Wordline短路、内存漏洞问题提出的解决方案。同时可以兼容其他厂商3D NAND Flash可能存在的相同问题。

3D NAND Flash一般采用多个page共享同一个Wordline的设计。当Wordline开路发生时将会导致该Wordline的资料全部丢失。当Wordline短路发生时将会导致该Wordline及与其发生短路的Wordline的资料全部丢失。当内存漏洞发生时将会到所有的Wordline都会发生数据丢失。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种提升3D NAND Flash性能的方法。

本发明采用的技术方案是：

提升3D NAND Flash性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)先将资料写入SLC缓存，再将SLC缓存中的数据备份到TLC/MLC中；

(2)将TLC/MLC缓存写满后，将块中的资料做读回验证；

(3)如果数据发生错误，则将此块做坏块标记不再使用，并且重新获取新的块做备份和读回验证；

(4)备份和读回验证的行为若进行到某个P/E循环阈值，确定不会再发生Wordline开路、Wordline短路、内存漏洞问题，将可以转换成正确的TLC的做法，以降低备份行为带来的WAF&性能的影响。

本发明的优点是：

本发明方法增加了3D NAND Flash的可靠度。

附图说明

图1为本发明的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例。

提升3D NAND Flash性能的方法，包括以下步骤：

(1)先将资料写入SLC缓存，再将SLC缓存中的数据备份到TLC/MLC中；

(2)将TLC/MLC缓存写满后，将块中的资料做读回验证；

(3)如果数据发生错误，则将此块做坏块标记不再使用，并且重新获取新的块做备份和读回验证；

(4)备份和读回验证的行为若进行到某个P/E循环阈值，确定不会再发生Wordline开路、Wordline短路、内存漏洞问题，将可以转换成正确的TLC的做法，以降低备份行为带来的WAF&性能的影响。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。