[发明专利]任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法、设备及介质

摘要

本发明公开了任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法、设备及介质，所述方法包括：根据导电屏上待解析小孔的轮廓建立基于极坐标的轮廓函数ρ(θ)，将待解析小孔的几何重心设为极坐标的原点；反复用半径为ρ(θ₂)、ρ(θ₃)…ρ(θ_n＝2π)的圆孔取代小孔，并将每一圆孔的圆心均设置在待解析小孔的几何重心上，根据圆形孔电极化率公式计算每一圆孔对应的电极化率，对每一圆孔对应的电极化率进行算术平均值的极限运算，得到对应的电极化率算术平均值；并将电极化率算术平均值作为待解析小孔的电极化率近似值，根据第一公式计算待解析小孔的平均电极化率密度。本发明能够在不损失精度的前提下，简化任意形状小孔的平均极化率密度的计算步骤，同时显著提高小孔耦合问题的解决效率。

主权项

1.一种任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法，其特征在于，包括：根据导电屏上待解析小孔的轮廓建立基于极坐标的轮廓函数ρ(θ)，将所述待解析小孔的几何重心设为极坐标的原点；反复用半径为ρ(θ₂)、ρ(θ₃)…ρ(θ_n＝2π)的圆孔取代所述小孔，并将每一所述圆孔的圆心均设置在所述待解析小孔的几何重心上，根据圆形孔电极化率公式计算每一所述圆孔对应的电极化率，其中，0＝θ₁<θ₂<L<θ_n＝2π；对每一所述圆孔对应的电极化率进行算术平均值的极限运算，得到对应的电极化率算术平均值；将所述电极化率算术平均值作为所述待解析小孔的电极化率近似值，根据第一公式计算所述待解析小孔的平均电极化率密度；其中，所述第一公式为：其中，τ_av为待解析小孔的平均电极化率密度，s₀为所述待解析小孔的面积，π为圆周率。