[发明专利]任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法、设备及介质

权利要求书

1.一种任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法，其特征在于，包括：

根据导电屏上待解析小孔的轮廓建立基于极坐标的轮廓函数ρ(θ)，将所述待解析小孔的几何重心设为极坐标的原点；

反复用半径为ρ(θ₂)、ρ(θ₃)…ρ(θ_n＝2π)的圆孔取代所述小孔，并将每一所述圆孔的圆心均设置在所述待解析小孔的几何重心上，根据圆形孔电极化率公式计算每一所述圆孔对应的电极化率，其中，0＝θ₁<θ₂<L<θ_n＝2π；

对每一所述圆孔对应的电极化率进行算术平均值的极限运算，得到对应的电极化率算术平均值；

将所述电极化率算术平均值作为所述待解析小孔的电极化率近似值，根据第一公式计算所述待解析小孔的平均电极化率密度；其中，所述第一公式为：

其中，τ_av为待解析小孔的平均电极化率密度，s₀为所述待解析小孔的面积，π为圆周率。

2.根据权利要求1所述的任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法，其特征在于，所述圆形孔电极化率公式为：

其中，α₁为圆孔的电极化率，τ_c为圆形孔的平均电极化率密度，τ_c的值为常量

3.根据权利要求1所述的任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法，其特征在于，对每一所述圆孔对应的电极化率进行算术平均值的极限运算，具体为：

根据算术平均值公式每一所述圆孔对应的电极化率进行算术平均值的极限运算；其中，所述算术平均值公式为：

设所述算术平均值公式中的n→∞并进行极限运算，得到所述电极化率平均值：

4.根据权利要求3所述的任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法，其特征在于，根据所述电极化率平均值和所述第一公式计算所述待解析小孔的平均电极化率密度:

5.一种任意形状小孔平均电极化率密度的解析终端设备，其特征在于，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-4所述的任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法。

6.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如权利要求1-4所述的任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法。