[发明专利]一种采用超声驻波操纵Micro-LED巨量转移的方法

摘要

本发明公开了一种采用超声驻波操纵Micro‑LED巨量转移的方法，移动转移基板，使需要转移的Micro‑LED晶片对准激光发射器；接着激光发射器发出激光光束，使Micro‑LED晶片脱离转移基板的弹性层并落到超声操控范围内，声压节点使Micro‑LED晶片悬浮；辐射端面和反射端面在导轨上移动，使Micro‑LED晶片之间的间距也随之改变；超声换能器停止发出超声波，Micro‑LED在重力作用下落到目标衬底的对应位置上；完成贴装后，进入下一贴装过程。本发明具有转移效率高，不受Micro‑LED在目标衬底上的贴装间距的限制和Micro‑LED晶片封装的良率高的优点。

主权项

1.一种采用超声驻波操纵Micro‑LED巨量转移的方法，其特征在于，包括：转移基板、Micro‑LED晶片、超声换能器、激光发射器、导轨和目标衬底；所述转移基板设有弹性层，所述Micro‑LED晶片设置于所述转移基板的弹性层上；所述超声换能器发出超声波，所述超声换能器包括辐射端面与反射端面，所述超声换能器在辐射端面和反射端面之间产生声压节点；所述转移基板设置于所述导轨的上方，所述目标衬底设置于所述转移基板的下方，所述辐射端面与所述反射端面安装于所述导轨上，且所述辐射端面与所述反射端面位于所述转移基板和所述目标衬底之间；还包括以下步骤：步骤1、将装载有所述Micro‑LED晶片的所述转移基板倒扣固定在所述导轨的上方，然后将所述目标衬底固定安装于所述转移基板的下方；步骤2、移动所述转移基板，使需要转移的Micro‑LED晶片对准激光发射器；步骤3、所述激光发射器发出激光光束，加热释放所述转移基板上的部分所述Micro‑LED晶片，使所述Micro‑LED晶片脱离所述转移基板的弹性层；步骤4、所述超声换能器发出超声波，在所述辐射端面和所述反射端面之间形成声压节点，在重力的作用下，所述Micro‑LED晶片落到超声操控范围内，所述声压节点使Micro‑LED晶片悬浮，然后激光发射器停止发射激光光束；步骤5、所述辐射端面和所述反射端面在导轨上移动，使所述声压节点的位置发生改变，悬浮于所述声压节点处的所述Micro‑LED晶片之间的间距也随之改变；步骤6、当悬浮的所述Micro‑LED晶片的间距与所述目标衬底上的Micro‑LED贴装位置间距相等时，超声换能器停止发出超声波，Micro‑LED在重力作用下落到所述目标衬底的对应位置上；步骤7、返回步骤2，进入下一贴装过程。