[发明专利]一种基于存储器访问的写热页面预测方法

摘要

一种基于存储器访问的写热页面预测方法，本发明涉及基于存储器访问的写热页面预测方法。本发明目的是为了解决现有混合存储器使用寿命低、性能受损的问题。本发明设置了PCM缓存和DRAM缓存，PCM访存用来存放被写过的PCM页面，DRAM缓存用来存放被访问过的DRAM页面，时刻t，当有写操作发生在PCM页面且该页面在PCM缓存中且该页面的脏位为1时，在DRAM中或DRAM缓存中寻找替换页面，启动迁移，请求计数器加1。请求计数器每隔内存引用距离的整数倍重新开始计数，同时将PCM缓存中页面的脏位全部置0。然后令t＝t+1，重新执行以上步骤；本发明用于页面写热度预测领域。

主权项

1.一种基于存储器访问的写热页面预测方法，其特征在于：所述方法具体过程为：步骤1、t时刻，当有页面P被访存时，首先判断该操作发生在哪种存储介质中：如果发生在DRAM中且页面P不在DRAM缓存中，将页面P放入DRAM缓存中，进入步骤5；如果发生在DRAM中且页面P在DRAM缓存中，进入步骤5；如果发生在PCM中，进入步骤2；所述DRAM为动态随机存取存储器；所述PCM为非易失存储器中相变存储器；步骤2、如果发生在PCM中的操作是读操作，进入步骤5；如果发生在PCM中的操作是写操做且页面P不在PCM缓存中，将页面P加入PCM缓存中，进入步骤5；如果发生在PCM中的操作是写操做且页面P在PCM缓存中且页面P的dirty_bit是1，进入步骤3；如果发生在PCM中的操作是写操做且页面P在PCM缓存中且页面P的dirty_bit是0，进入步骤5；步骤3、在DRAM中寻找替换页面，如果存在替换页面V，则进入步骤4，否则进入步骤5；步骤4、将页面P与页面V进行交换，进入步骤5；步骤5、存储器请求计数器加1，进入步骤6；步骤6、如果存储器请求计数器是inter‑reference distance的整数倍，则PCM缓存中所有页面的dirty_bit全部置0，令t＝t+1，重新执行步骤1至步骤6；如果存储器请求计数器不是inter‑reference distance的整数倍且页面P在PCM缓存中，则将页面P的dirty_bit置1，令t＝t+1，重新执行步骤1至步骤6；如果存储器请求计数器不是inter‑reference distance的整数倍且页面P不在PCM缓存中，令t＝t+1，重新执行步骤1至步骤6；所述inter‑reference distance为内部引用距离。