[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811553671.5 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109959988B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 绵贯真一;中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。在绝缘层之上形成两个光波导以及被设置为覆盖光波导的绝缘膜。经由与上述绝缘膜不同的绝缘膜，在绝缘膜上方形成两个布线和加热器金属线。后一个绝缘膜薄于前一个绝缘膜，并且具有的折射率高于前一个绝缘膜的折射率。来自两个光波导中任一个的泄露光可以被抑制或防止被两个布线、加热器金属线等中的任一个反射，以通过利用两个绝缘膜的折射率之间的差再次朝向两个光波导行进。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一绝缘膜；光波导，形成在所述第一绝缘膜之上并且具有折射率n1；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜之上以便覆盖所述光波导，并且具有折射率n2；第三绝缘膜，形成在所述第二绝缘膜之上并且具有折射率n3；以及导电膜，形成在所述第三绝缘膜之上，其中所述光波导与所述第三绝缘膜之间的最短距离小于所述第一绝缘膜的厚度，并且其中折射率n1、n2和n3满足关系n1＞n2且n3＞n2。
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