[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一绝缘膜，形成在衬底之上；

光波导，形成在所述第一绝缘膜之上并且具有折射率n1；

第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜之上以便覆盖所述光波导，并且具有折射率n2；

第三绝缘膜，形成在所述第二绝缘膜之上并且具有折射率n3，所述第三绝缘膜包括与所述光波导重叠的部分；以及

导电膜，形成在所述第三绝缘膜之上，所述导电膜被形成在所述第三绝缘膜的所述部分之上，使得所述导电膜与所述光波导重叠，

其中所述光波导与所述第三绝缘膜之间的最短距离小于所述第一绝缘膜的厚度，并且

其中折射率n1、n2和n3满足关系n1n2且n3n2。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜的厚度大于所述第三绝缘膜的至少所述部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第三绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

光检测器，具有第一导电类型的第一半导体层和与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，所述光检测器位于所述第一绝缘膜之上，

其中所述第三绝缘膜不布置在用于入射在所述光检测器上的光的光路之上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述光波导还包括光栅耦合器，所述光栅耦合器具有被形成为彼此平行的多个凸起，并且

其中所述第三绝缘膜不布置在用于从所述光栅耦合器发射或入射在所述光栅耦合器上的光的光路之上。

6.一种半导体器件，包括：

第一绝缘膜；

光波导，形成在所述第一绝缘膜之上并且具有折射率n1；

第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜之上以便覆盖所述光波导，并且具有折射率n2；

第三绝缘膜，形成在所述第二绝缘膜之上并且具有折射率n3；

第四绝缘膜，形成在所述第三绝缘膜之上；以及

导电膜，形成在所述第四绝缘膜之上，

其中折射率n1、n2和n3满足关系n1n2且n3n2。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述光波导与所述第三绝缘膜之间的最短距离小于所述第一绝缘膜的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜的厚度大于所述第三绝缘膜的厚度。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第四绝缘膜具有折射率n4，并且

其中折射率n3和n4满足关系n4n3。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第三绝缘膜是氮氧化硅膜，并且

其中所述第四绝缘膜是氮化硅膜。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第四绝缘膜是氧化硅膜。

12.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

光检测器，具有第一导电类型的第一半导体层和与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，所述光检测器位于所述第一绝缘膜之上，

其中所述第三绝缘膜不布置在所述光检测器上方的光路之上。

13.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述光波导还包括光栅耦合器，所述光栅耦合器具有被形成为彼此平行的多个凸起，并且

其中所述第三绝缘膜不布置在用于从所述光栅耦合器发射或入射在所述光栅耦合器上的光的光路之上。