[发明专利]半导体器件

说明书

本公开涉及半导体器件。在绝缘层之上形成两个光波导以及被设置为覆盖光波导的绝缘膜。经由与上述绝缘膜不同的绝缘膜，在绝缘膜上方形成两个布线和加热器金属线。后一个绝缘膜薄于前一个绝缘膜，并且具有的折射率高于前一个绝缘膜的折射率。来自两个光波导中任一个的泄露光可以被抑制或防止被两个布线、加热器金属线等中的任一个反射，以通过利用两个绝缘膜的折射率之间的差再次朝向两个光波导行进。

相关申请的交叉参考

2017年12月22日提交的日本专利申请第2017-246106号的包括说明书、附图和摘要的公开的内容通过引证引入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，例如，涉及包括光学器件的半导体器件的技术。

背景技术

例如，在专利文献1和2中描述了光学器件。专利文献1公开了一种用于通过在衬底之上顺次地涂覆底部覆层(折射率n1)、核心层(折射率n2)、第一上部覆层(折射率n3)和第二上部覆层(折射率n4)来制造聚合物波导的技术，其中折射率关系为n2＞n3＞n1、n4。

专利文献2公开了一种光波导，包括形成在衬底之上的第一覆层、形成在第一覆层之上的核心层、覆盖第一覆层和核心层的表面且具有良好粘附力和兼容性的中间薄层以及形成在中间薄层之上的第二覆层。另外，专利文献2公开了以下事实：如果第一覆层的折射率为nc1，第二覆层的折射率为nc2，核心层的折射率为n，以及中间薄层的折射率为n1，则应该满足关系n1≤n、nc1、nc2或者n≥n1≥nc1、nc2。

相关现有技术文献专利文献

[专利文献1]日本未审查专利申请公开第Hei 11(1999)-133254号

[专利文献2]日本未审查专利申请公开第Hei 3(1991)-158802号

发明内容

为了实际应用，需要进一步提高包括光学器件的半导体器件的可靠性。

其他问题和新特性将从本说明书的描述和附图中变得清楚。

在根据一个实施例的半导体器件中，在组成衬底的第一绝缘膜之上形成具有折射率n1的光波导以及覆盖光波导且具有折射率n2的第二绝缘膜。经由具有折射率n3的第三绝缘膜，导电膜形成在第二绝缘膜之上。光波导与第三绝缘膜之间的最短距离小于第一绝缘膜的厚度，并且折射率n1、n2和n3满足n1n2且n3n2的关系。

根据一个实施例，可以提高包括光学器件的半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体器件的主要部分的截面图；

图2是图1的半导体器件的主要部分的平面图；

图3是图1的半导体器件的主要部分的放大截面图；

图4是使用图1的半导体器件的光学调制器的示意性平面图；

图5是根据第二实施例的半导体器件的主要部分的截面图；

图6是根据第三实施例的半导体器件的主要部分的截面图；

图7是根据第四实施例的半导体器件的主要部分的截面图；

图8是图7的半导体器件的主要部分的平面图；以及

图9是使用图7的半导体器件的光电混合设备的一个示例的示意性配置图。

具体实施方式

(说明形式、基本术语、本说明书中的用法的解释)