[发明专利]铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811550397.6 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109837086A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 张金苏;刘盛意;陈宝玖;李香萍;孙佳石;徐赛;程丽红 申请(专利权)人: 大连海事大学
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 杨威;董彬
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法,所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr1‑y‑xAl2Si2O8:yEu2+,xTm3+,其中,0.001≤y≤0.04,0.005≤x≤0.08。本发明所述的制备方法为高温固相法,原料简单易得,价格低廉,适用于批量大规模生产。本发明制备的光存储材料与以往材料相比,性能极大提升,在光存储性能测试中,共掺杂样品的光激励发光初始强度与单掺杂Eu2+相比均有明显提高,既适用于新型在近紫外被宽带激发的白光LED蓝光荧光粉,也是一种高性能的光信息存储材料,适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
搜索关键词: 光存储材料 制备 电子俘获型 共掺杂 铝硅酸锶 光信息存储材料 电子显微镜 高温固相法 光存储性能 蓝光荧光粉 电子通讯 宽带激发 信息存储 医疗检测 白光LED 光激励 近紫外 照相 发光 掺杂 测试
【主权项】:
1.一种铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料,其特征在于:其化学式为:Sr1‑y‑xAl2Si2O8:yEu2+,xTm3+其中,0.001≤y≤0.04,0.005≤x≤0.08。
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