[发明专利]一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列，包括吸收层，所述吸收层下部两侧分别连接有衬底层和场控层，所述场控层下部依次包括：倍增层和非耗尽层，且所述场控层、倍增层和非耗尽层依次连接；所述衬底层分别与所述场控层、倍增层和非耗尽层之间绝缘，且所述衬底层连接有第一电极，所述非耗尽层连接有第二电极。本发明通过将吸收层设计在器件的表层，从而使入射的可见光短波段在表层刚入射时就被充分吸收，提高了器件的响应度和量子效率；同时APD的阴极和阳极均位于器件的底部，增加了光敏面积，从而提高器件的量子效率，及对可见光的灵敏度；并且对器件进行阵列化分割，提高器件的截止频率及增益。

主权项

1.一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列，其特征在于，包括吸收层，所述吸收层下部两侧分别连接有衬底层和场控层，所述场控层下面依次包括：倍增层和非耗尽层，且所述场控层、倍增层和非耗尽层依次连接；所述衬底层分别和所述场控层、倍增层、非耗尽层之间绝缘，且所述衬底层连接有第一电极；所述非耗尽层与第二电极连接；所述吸收层为π型硅；所述场控层为p型硅；所述倍增层为π型硅；所述非耗尽层为n⁺型硅；所述衬底层为p⁺型硅。