[发明专利]一种适用于电流复用结构中的偏置电路在审

专利信息
申请号: 201811548862.2 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109669506A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 尹鸿杰;吴昱程;刘志哲;陈林辉;刘晓东;聂利鹏 申请(专利权)人: 北京遥感设备研究所
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 中国航天科工集团公司专利中心 11024 代理人: 姜中英
地址: 100854*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种适用于电流复用结构中的偏置电路,包括:N型金属氧化物晶体管M1、P型金属氧化物晶体管PM1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6和电阻R7。偏置电路以电阻R4的正端为基准电流输入端,输出电压VBIAS1和电压VBIAS2分别为N型金属氧化物晶体管NM1和P型金属氧化物晶体管PM1提供偏置电压。本发明利用同一条电流之路分别为电路中的N型金属氧化物晶体管NM1和P型金属氧化物晶体管PM1提供偏置;电流复用电路中的N型金属氧化物晶体管NM1源极和P型金属氧化物晶体管PM1源极相连点——B点电位固定,而不需要额外的电路结构。
搜索关键词: 电阻 氧化物晶体管 晶体管 偏置电路 电流复用结构 源极 电流复用电路 电路结构 电位固定 基准电流 偏置电压 输出电压 输入端 偏置 正端 电路
【主权项】:
1.一种适用于电流复用结构中的偏置电路,其特征在于包括:N型金属氧化物晶体管M1、N型金属氧化物晶体管M2、N型金属氧化物晶体管M3、P型金属氧化物晶体管M4、P型金属氧化物晶体管M5、P型金属氧化物晶体管M6、P型金属氧化物晶体管M7、N型金属氧化物晶体管M8、P型金属氧化物晶体管M9、N型金属氧化物晶体管M10、N型金属氧化物晶体管M11、P型金属氧化物晶体管M12、P型金属氧化物晶体管M13、P型金属氧化物晶体管M14、P型金属氧化物晶体管M15、P型金属氧化物晶体管M16、N型金属氧化物晶体管M17、N型金属氧化物晶体管NM1、P型金属氧化物晶体管PM1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6和电阻R7;所述电阻R4的负端和N型金属氧化物晶体管M1的漏极连接、N型金属氧化物晶体管M1的栅极、N型金属氧化物晶体管M2的栅极、N型金属氧化物晶体管M3的栅极、N型金属氧化物晶体管M17的栅极相连接;N型金属氧化物晶体管M1的源极和N型金属氧化物晶体管M2的源极、N型金属氧化物晶体管M3的源极、N型金属氧化物晶体管M10的源极、N型金属氧化物晶体管M11的源极、N型金属氧化物晶体管M17的源极、电阻R2的负端相连接;N型金属氧化物晶体管M2的漏极、P型金属氧化物晶体管M4的漏极、P型金属氧化物晶体管M6的栅极、P型金属氧化物晶体管M7的栅极相连接;P型金属氧化物晶体管M4的源极和P型金属氧化物晶体管M6的漏极相连接;P型金属氧化物晶体管M6的源极和P型金属氧化物晶体管M7的源极、P型金属氧化物晶体管M14的源极、P型金属氧化物晶体管M15的源极、P型金属氧化物晶体管M16的源极、电阻R1的正端相连接;P型金属氧化物晶体管M7的漏极、N型金属氧化物晶体管M8的漏极、N型金属氧化物晶体管M8的栅极、P型金属氧化物晶体管M5的源极相连接;P型金属氧化物晶体管M4的栅极和P型金属氧化物晶体管M5的栅极、P型金属氧化物晶体管M5的漏极相连接;N型金属氧化物晶体管M8的源极和P型金属氧化物晶体管M9的源极、电阻R1的负端、电阻R2的正端相连接;N型金属氧化物晶体管M10的漏极和N型金属氧化物晶体管M12的源极、P型金属氧化物晶体管M9的漏极、P型金属氧化物晶体管M9的栅极相连接;N型金属氧化物晶体管M10的栅极、N型金属氧化物晶体管M11的栅极、N型金属氧化物晶体管M13的漏极、P型金属氧化物晶体管M15的漏极相连接;N型金属氧化物晶体管M12的栅极、N型金属氧化物晶体管M13的栅极、N型金属氧化物晶体管M12的漏极、P型金属氧化物晶体管M14的漏极相连接;N型金属氧化物晶体管M11的漏极和N型金属氧化物晶体管M13的源极相连接;P型金属氧化物晶体管M14的栅极和P型金属氧化物晶体管M15的栅极、P型金属氧化物晶体管M16的栅极、P型金属氧化物晶体管M16的漏极、电阻R3的正端相连接;电阻R3的负端和N型金属氧化物晶体管的漏极M17相连接。
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