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[发明专利]一种基于电感补偿的差分数控衰减器-CN202011198503.6有效
发明人：邓惠中;刘志哲;曹玉雄;洪祥;聂利鹏;刘晓东 -专利权人：拓维电子科技（上海）有限公司
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种基于电感补偿的差分数控衰减器。所述衰减器包括依次排列的衰减单元；第一衰减单元的差分输入正端连接衰减器的差分输入正端RFIN+，差分输入负端连接衰减器的差分输入负端RFIN‑；第二衰减单元的差分输出正端为衰减器的差分输出正端RFOUT+，差分输出负端为衰减器的差分输出负端RFOUT‑；上一级衰减单元的差分输出正端与下一级衰减单元的差分输入正端之间，上一级衰减单元的差分输出负端与下一级衰减单元的差分输入负端之间分别设置有电感进行阻抗匹配。本公开的实施例通过级联多个衰减单元并优化衰减单元的排布顺序，采用电感网络补偿衰减附加相移，实现了宽带、高精度、高线性度、低损耗、低附加相移、低成本、易集成的差分衰减器。
一种基于电感补偿数控衰减器

[发明专利]一种可调增益均衡器-CN202011195637.2有效
发明人：陈林辉;刘志哲;聂利鹏;田帆;杜景超;曹玉雄 -专利权人：拓维电子科技（上海）有限公司
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03G9/00 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种可调增益均衡器。所述可调增益均衡器包括第一射频端口RF_IN、第二射频端口RF_OUT、第一谐振单元、第二谐振单元、第三传输线TL3；第一谐振单元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2与第一传输线TL1；第二谐振单元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4与第二传输线TL2。所述可调增益均衡器2比特可调，具有四种均衡模式，可满足不同使用需求；采用CMOS工艺，具有低损耗、低成本、易集成等优势；采用晶体管寄生优化技术和深N阱工艺体悬浮技术，降低晶体管寄生电容和衬底噪声的影响，降低插入损耗，提高线性度。
一种可调增益均衡器

[发明专利]一种高精度计算锁相环带内相位噪声的方法-CN201910129688.6有效
发明人：刘晓东;刘志哲;聂利鹏;孙迪;尹鸿杰 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度计算锁相环带内相位噪声的方法包括步骤：S1、对鉴频鉴相器和电荷泵电路进行仿真，获得电路的电流噪声PNOUT；S2、仿真振荡器核心的输出幅度有效值VRMS；S3、根据获得的电流噪声PNOUT和输出幅度有效值VRMS计算鉴频鉴相器和电荷泵等效到锁相环输出的相位噪声PNCP；S4、计算参考时钟等效到锁相环输出的相位噪声PNREF；S5、计算锁相环整体的带内相位噪声PNTotal。本发明采用的计算相位噪声方法易于操作，可以高精度拟合锁相环的带内相位噪声，为锁相环的设计提供整体仿真结果，有利于锁相环设计的迭代和优化。
一种高精度计算环带相位噪声方法

[发明专利]一种温度反馈相位校正电路及方法-CN201811267680.8有效
发明人：陈林辉;刘志哲;刘晓东;聂利鹏;曹玉雄 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度反馈相位校正电路及方法。包括：移相器、移相控制寄存器、地址加法器、数值比较器、温度传感器。本发明通过温度传感器检测当前电路工作的环境温度值，并将当前的温度值与存储的温度值进行对比，输出一个相位校正地址，通过该地址对原始的相位地址就行温度修正，实现不同温度下相控阵系统相位稳定调节的目的。本发明利用相控阵收发系统通道内已集成的移相器，收发链路不增加额外的射频电路模块，只增加了极少量的数字电路和一颗温度传感器，实施简单，方便集成，克服了相控阵收发系统相位随温度变化不稳定的缺点，提高了系统环境适应性和可靠性。
一种温度反馈相位校正电路方法

[发明专利]一种可编程毫米波数字功率放大器-CN201711192865.2有效
发明人：陈林辉;刘晓东;刘志哲;聂利鹏;曹玉雄;陈磊 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开一种可编程毫米波数字功率放大器，包括：NMOS放大管M0、M1，NMOS开关管M2、M3、M4、M5，偏置电阻R1、偏置电阻R2，隔直电容C1、C2，中和电容C3、C4，共模抑制电感L1，差分转单端变压器TF1。毫米波射频差分信号经隔直电容C1、C2输入，经放大管M2、M3、M4、M5放大输出。本发明通过数字控制信号D0、数字控制信号D1控制开关管M0、M1的导通与否，进而控制放大管的导通与否，从而控制放大器的输出功率，解决了传统毫米波功率放大器输出功率不可调节的缺点。本发明结构简单，集成度高，可以用于毫米波功率放大器和其他毫米波集成电路系统设计中，实现输出功率数字编程，提高功率放大器和系统的功率回退效率。
一种可编程毫米波数字功率放大器

[发明专利]一种基于集成锁相环芯片的快速频率切换微系统-CN201711392874.6有效
发明人：刘晓东;聂利鹏;刘志哲;曹玉雄;陈磊;杜景超 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于集成锁相环芯片的快速频率切换微系统，包括：Flash芯片、内置VCO的集成锁相环频率合成器芯片；其中，内置VCO的集成锁相环频率合成器芯片包括倍频/分频器、鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、求和电路、宽带压控振荡器、数模转换器、多模分频器。集成锁相环芯片与Flash芯片通过SiP方式共同构成基于集成锁相环芯片的快速频率切换微系统。该微系统由内置VCO的集成锁相环频率合成器芯片提供高性能射频频率源信号，并通过对Flash芯片内存储的控制信号的读取，实现对锁相环输出频率的快速切换。本发明系统集成度高，在实现宽带射频频率源信号输出且不影响环路带宽的同时，能够大大减小锁定时间。
一种基于集成锁相环芯片快速频率切换系统

[发明专利]一种适用于电流复用结构中的偏置电路-CN201811548862.2在审
发明人：尹鸿杰;吴昱程;刘志哲;陈林辉;刘晓东;聂利鹏 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于电流复用结构中的偏置电路，包括：N型金属氧化物晶体管M1、P型金属氧化物晶体管PM1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6和电阻R7。偏置电路以电阻R4的正端为基准电流输入端，输出电压VBIAS1和电压VBIAS2分别为N型金属氧化物晶体管NM1和P型金属氧化物晶体管PM1提供偏置电压。本发明利用同一条电流之路分别为电路中的N型金属氧化物晶体管NM1和P型金属氧化物晶体管PM1提供偏置；电流复用电路中的N型金属氧化物晶体管NM1源极和P型金属氧化物晶体管PM1源极相连点——B点电位固定，而不需要额外的电路结构。
电阻氧化物晶体管晶体管偏置电路电流复用结构源极电流复用电路电路结构电位固定基准电流偏置电压输出电压输入端偏置正端电路

[发明专利]一种Ku波段低噪声放大器-CN201711392860.4有效
发明人： 聂利鹏;曹玉雄;刘志哲;陈磊;杜景超;赵海明 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ku波段低噪声放大器，利用不同放大结构放大，采用CMOS工艺的Ku波段差分低噪声放大器电路结构，电路结构包括：第一级伪差分放大级，第二级RC并联反馈共源级放大电路，利用键合线金丝电感的输入输出匹配结构，四个部分。信号由输入端进入输入匹配结构，之后经过第一级伪差分放大级进行初级放大，后通过耦合电容进入第二级共源级放大器，最后通过输出匹配结构到输出端。本电路结构解决了采用CMOS工艺的Ku波段低噪声放大器放大能力不足、噪声性能差、抗干扰能力差的问题。且利用输入输出键合线金丝电感，简化了匹配结构和电路版图，差分结构也提高了电路的稳定性、可用性。
一种 ku 波段低噪声放大器

[发明专利]一种高隔离三刀五掷全交叉开关-CN201711190615.5有效
发明人：吴昱程;陈林辉;刘志哲;刘晓东;聂利鹏;曹玉雄 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高隔离三刀五掷全交叉开关，包括：组件壳体A(1)、组件壳体B(2)、组件壳体C(3)、8个SMP接头、5个功分器、15个导通/匹配芯片、15个导通/隔离芯片、3个单刀五掷芯片和3个驱动控制电路；五路电磁波信号同时输入，经过功分器、导通/匹配芯片、导通/隔离芯片、单刀五掷芯片后，由驱动控制电路完成对相应芯片的控制、电磁波信号的选择与输出，信号选通时导通/匹配芯片具有导通功能，导通/隔离芯片具有导通功能，信号未选通时导通/匹配芯片具有匹配功能，导通/隔离芯片具有隔离功能，从而实现全交叉功能。本发明结构小巧、装配简单、信号之间隔离度高。
导通隔离芯片匹配芯片组件壳体全交叉驱动控制电路电磁波信号单刀芯片高隔离功分器隔离度高隔离功能匹配功能信号选通选通装配输出

[发明专利]一种基于锁相环和矩阵开关的S波段快跳频率源-CN201711138434.8在审
发明人：吴昱程;陈林辉;刘志哲;刘晓东;聂利鹏;曹玉雄 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H03L7/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锁相环和矩阵开关的S波段快跳频率源，包括变频电路、五功分器、分频器、倍频器、滤波器A、滤波器B、混频器和放大器，还包括锁相环A、锁相环B、锁相环C、锁相环D、锁相环E和5X2矩阵开关。本发明采用锁相环A、锁相环B、锁相环C、锁相环D、锁相环E、5X2矩阵开关搭建快速跳频源，采用变频电路产生基准频率，大大降低了成本；锁相环A、锁相环B、锁相环C、锁相环D、锁相环E保证了高带外抑制度且为跳频间隔提供了自由度；5X2矩阵开关保证了频率的纳秒级快速切换，该快速跳频源结构简单，方案易于实现，通用性强。
一种基于锁相环矩阵开关波段频率

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