[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光电探测器及其制备方法，旨在解决现有PIN型铟镓砷光电探测器寄生电容较大，影响所述光电探测器响应速度的问题，其技术要点在于包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成接触区；接触区上部直接设置有电极引线；沿通孔靠近接触区的一侧的任一切线方向，形成有贯通InP缓冲层、InGaAs光敏层以及InP帽层的沟道，并沿InP衬底的平行面方向，将三者分割为两部分；本发明有效减少了电极引线形成的寄生电容，提高了光电探测器的响应速度。

主权项

1.一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘I nP衬底(1)和I nP缓冲层(2)，所述I nP缓冲层(2)上直接形成有不相连的第一电极(5)和I nGaAs光敏层(3)，所述I nGaAs光敏层(3)上层叠设置有I nP帽层(4)和钝化层(8)，所述I nP帽层(4)面积小于或等于所述I nGaAs光敏层(3)的面积；所述钝化层(8)中开设有暴露所述I nP帽层(4)部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第二电极(6)，所述第二电极(6)的部分区域延伸至所述钝化层(8)的上部，形成接触区；所述接触区上部直接设置有电极引线(7)，其特征在于，沿所述通孔靠近所述接触区的一侧的任一切线方向，形成有贯通所述I nP缓冲层(2)、所述I nGaAs光敏层(3)以及所述I nP帽层(4)的沟道，沿所述I nP衬底(1)的平行面方向，所述沟道将层叠设置的所述I nP缓冲层(2)、所述I nGaAs光敏层(3)以及所述I nP帽层(4)分割为两部分，所述I nP帽层(4)上还直接设置有至少覆盖所述第二电极(6)中央区域的减反层，用于减少所述I nP帽层(4)的反射光线；其中，所述沟道在所述I nP衬底(1)上的正投影为任意条形，宽度为20μm‑40μm，同时，所述沟道内填充有钝化材料。