[发明专利]激光器芯片的制造方法及激光器芯片有效
| 申请号： | 201811537765.3 | 申请日： | 2018-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN111326949B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈长安;郑兆祯 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;C25D5/02 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 唐芳芳 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤S1，在外延层上形成第一电镀基底；步骤S2，在所述第一电镀基底上形成有机的图案层，所述图案层定义有镂空区域，使部分所述第一电镀基底从所述镂空区域相对于所述图案层裸露；步骤S3，在所述第一电镀基底上形成第一金属镀层，第一金属镀层完全覆盖所述图案层及未被所述图案层覆盖的第一电镀基底；步骤S4，去除所述图案层，以使得所述第一金属镀层与所述第一电镀基底之间形成中空的通道，所述通道具有贯穿所述第一金属镀层的至少一进口和至少一出口。该方法制成的激光器芯片在保证整体体积可控的基础上还有利于提升激光器芯片的散热效果。本发明还提供一种激光器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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