[发明专利]一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法有效
| 申请号： | 201811529297.5 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109541745B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 帅垚;乔石珺;高琴;吴传贵;罗文博;王韬;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨;吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法，属于集成光学领域。该器件包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7，所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3，所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。本发明中所采用埋槽结构，既可以减少光场在传输过程中的泄露损耗，又可以促使光场向其他介质转移，进而提高耦合效率，还具有在脊形波导中促进模式从多模向模式减少进行变化的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 改进型 谐振器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种耦合区改进型的微环谐振器，包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7，所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3，所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。
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