[发明专利]一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法及装置有效
| 申请号： | 201811526530.4 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109783861B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 陈中圆;张语;张西子;陈艳芳;李翠 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39;H01L21/56;G06F113/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法及装置，该压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法包括：测试各待选芯片的阈值电压；将各待选芯片按照阈值电压的大小进行排序，得到芯片序列组；根据预设数量要求及预设筛选条件，从芯片序列组中按照排序依次选取待选芯片，得到多个待封装芯片组；根据各待封装芯片组中的各待选芯片的通态电阻对各待封装芯片组进行封装。通过实施本发明，通过对阈值电压的筛选并考虑通态电阻的影响，减小了各个芯片中电流的差异，使得封装于压接型IGBT器件的各个芯片之间实现了互补均流，进而提高了压接型IGBT器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 igbt 器件 芯片 互补 封装 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法，其特征在于，包括：测试各待选芯片的阈值电压；将所述各待选芯片按照所述阈值电压的大小进行排序，得到芯片序列组；根据预设数量要求及预设筛选条件，从所述芯片序列组中按照排序依次选取所述待选芯片，得到多个待封装芯片组；根据各所述待封装芯片组中的各所述待选芯片的通态电阻对各所述待封装芯片组进行封装。
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