[发明专利]一种HEMT外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811526199.6 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109768079A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT外延结构及其制备方法，属于半导体光电技术领域。AlGaN缓冲层中Al的组分沿AlGaN缓冲层的层叠方向逐渐降低，使得AlN成核层上的AlGaN缓冲层的质量较好。AlGaN缓冲层包括n个依次层叠在AlN成核层上的AlGaN缓冲子层，每个AlGaN缓冲子层设置为包括底层结构与设置在底层结构上的多个锥形凸起，使第n个AlGaN缓冲子层在底层结构上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，第n个AlGaN缓冲子层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。第n个AlGaN缓冲子层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与第n个AlGaN缓冲子层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高第n个AlGaN缓冲子层的晶体质量。整体AlGaN缓冲层质量提高，进而提高在AlGaN缓冲层上生长的GaN层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲子层 缓冲层 底层结构 第一表面 外延结构 位错缺陷 成核层 制备 生长 光电技术领域 层叠方向 方向横向 方向纵向 横向生长 依次层叠 逐渐降低 锥形凸起 纵向生长 衬底 半导体 抵消 平行 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT外延结构，所述HEMT外延结构包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层与GaN盖层，其特征在于，所述AlGaN缓冲层中Al的组分沿所述AlGaN缓冲层的层叠方向逐渐降低，所述AlGaN缓冲层包括n个依次层叠的AlGaN缓冲子层，其中，2≤n且n为整数，每个所述AlGaN缓冲子层均包括底层结构与设置在所述底层结构上的多个锥形凸起，所述多个锥形凸起均布在所述底层结构上，所述衬底层叠所述AlN成核层的一个表面为第一表面，所述多个锥形凸起在所述第一表面上的投影均不重合。
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