[发明专利]一种晶圆抛光方法有效

专利信息
申请号: 201811524272.6 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109352513B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 张黎欢;沈思情;孙强;柏友荣;张俊宝;陈猛 申请(专利权)人: 上海超硅半导体有限公司;重庆超硅半导体有限公司
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00;B24B37/34;B24B57/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201617 上海市松*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种晶圆抛光方法,使用单面抛光机对晶圆进行双面抛光,单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘,抛光模板与抛盘连接;晶圆抛光方法包括:提供一晶圆,晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面,第一待抛光面与第二待抛光面相对设置;将晶圆放置于抛光模板中,暴露出第一待抛光面;使用抛光盘对第一待抛光面进行抛光;取出晶圆;将晶圆放置于抛光模板中,暴露出第二待抛光面;使用抛光盘对第二待抛光面进行抛光。该晶圆抛光方法,实现使用单面抛光机完成晶圆的双面抛光的目的,降低成本,满足了低端市场对于晶圆的需求。
搜索关键词: 一种 抛光 方法
【主权项】:
1.一种晶圆抛光方法,其特征在于,使用单面抛光机对所述晶圆进行双面抛光,所述单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘,所述抛光模板与所述抛盘连接;所述晶圆抛光方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面,所述第一待抛光面与所述第二待抛光面相对设置;将所述晶圆放置于所述抛光模板中,暴露出所述第一待抛光面;使用所述抛光盘对所述第一待抛光面进行抛光;取出所述晶圆;将所述晶圆放置于所述抛光模板中,暴露出所述第二待抛光面;使用所述抛光盘对所述第二待抛光面进行抛光。
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